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ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET
时间: 2021-07-07 阅读: 38

全球知名半导体制造商ROHM开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常适用于FA等工业设备和基站(冷却风扇)的电机驱动。

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近年来,为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入,MOSFET作为用于驱动的器件,需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外,为了进一步提高电机的效率并减小尺寸nba买球正规网站,对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。

在这种背景下,ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。通过这种组合,使ROHM在支持24V输入的±40V和±60V耐压级别拥有了业界先进的Nch+Pch双极MOSFET产品。此外,为了满足更广泛的需求,ROHM还开发出+40V和+60V耐压的“QH8Kxx / SH8Kxx系列(Nch+Nch)”,产品阵容已达12款。

本系列产品采用ROHM新工艺,实现了业界超低的导通电阻,±40V耐压产品的导通电阻比普通产品低61%(双极MOSFET的Pch部分比较),有助于进一步降低各种设备的功耗。此外,通过将两枚器件集成到一个封装中nba买球正规网站nba买球正规网站,有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化nba买球正规网站,还有助于减少器件选型(Nch和Pch的组合)的时间。

本系列产品已于2021年3月开始暂以月产100万个的规模投入量产。

今后,ROHM还会面向要求更高耐压的工业设备开发100V和150V耐压产品,以扩大本系列产品的阵容,通过降低各种应用的功耗和实现其小型化来助力解决环境?;さ壬缁嵛侍?。

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<新产品特点>

1.实现业界超低导通电阻

在ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET 中nba买球正规网站,采用了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比nba买球正规网站,Pch部分的导通电阻降低多达61%,Nch部分的导通电阻也降低达39%,有助于降低各种设备的功耗。

2.具备只有双极MOSFET才有的特点,有助于实现设备的小型化和缩短设计周期

通过在一个封装中内置两枚器件,有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面,如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET(SOP8)替换成新产品(TSMT8),安装面积可减少75%。

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<与预驱动器IC组合,可提供更出色的电机驱动解决方案>

通过将本产品与已具有丰硕实际应用业绩的ROHM单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合,可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。通过为外围电路设计提供双极MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持,为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

<应用示例>

  • ■FA设备、机器人等工业设备和基站用的风扇电机
  • ■大型消费电子设备用的风扇电机



<术语解说>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构nba买球正规网站。 用作开关元件。
*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET
Pch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFETnba买球正规网站。
可用比低于输入电压低的电压驱动,因此电路结构较为简单。
Nch MOSFET:通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
相比Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因此可减少常规损耗。
*3) 导通电阻
使MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运行时的损耗(电力损耗)越少。
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